ISO TR 16268, Ấn bản đầu tiên, ngày 1 tháng 10 năm 2009 – Phân tích hóa học bề mặt – Quy trình đề xuất để xác nhận liều areic được giữ lại trong vật liệu chuẩn hoạt động được tạo ra bằng cách cấy ion

Báo cáo kỹ thuật này quy định một quy trình để chứng nhận liều isic của nguyên tố phân tích được cấy ion có số nguyên tử lớn hơn số nguyên tử của silic được giữ lại trong vật liệu chuẩn làm việc (WoRM) được sử dụng để phân tích bề mặt. WoRM ở dạng một tấm wafer được đánh bóng (hoặc có bề mặt nhẵn tương tự) (còn được gọi là vật chủ), có thành phần đồng nhất và đường kính danh nghĩa 50 mm trở lên, đã được thay thế bằng một đồng vị danh nghĩa của một nguyên tố hóa học ( còn được gọi là chất phân tích), chưa có trong vật chủ, với liều danh nghĩa thường nằm trong khoảng 10¹⁶ nguyên tử / cm² đến 10¹³ nguyên tử / cm² (tức là phạm vi quan tâm hàng đầu trong công nghệ bán dẫn). Liều areic của chất phân tích được cấy ion được giữ lại trong phiến WoRM được chứng nhận so với liều areic của cùng chất phân tích được giữ lại trong phiến silicon được cấy ion có trạng thái của chất chuẩn thứ cấp (tốt nhất là được chứng nhận) (SeRM).

Thông tin được cung cấp về khái niệm và thủ tục chứng nhận WoRM. Ngoài ra còn có mô tả các yêu cầu đối với vật liệu chuẩn, các phép đo so sánh và chứng nhận thực tế. Thông tin hỗ trợ về cấy ion, đo liều cấy ion, quang phổ huỳnh quang tia X phân tán theo bước sóng và các chất thay thế không được chứng nhận cho các SeRM không thể đạt được được cung cấp trong Phụ lục A đến D. Nguồn và độ lớn của độ không đảm bảo phát sinh trong quá trình chứng nhận được nêu chi tiết trong Phụ lục E .